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BJT   Bipolar Junction Transistor   바이폴라 접합 트랜지스터, 쌍극 접합 트랜지스터, 쌍극성 트랜지스터, 접합형 트랜지스터, 양극 접합 트랜지스터

(2017-01-25)

npn 트랜지스터, pnp 트랜지스터

전자/전기/제어 1. 전기전자공학

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초고주파/RF 공학
반도체/물리전자공학
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 > 반도체/물리전자공학도체 전도성
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반도체 평형상태
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다이오드
트랜지스터
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 > 트랜지스터 1. 트랜지스터

트랜지스터 구분
BJT
MOSFET
 > 트랜지스터 구분 1. BJT
2. FET
3. JFET
4. MOSFET
5. CMOS
6. 박막 트랜지스터

     
전자/전기/제어 1. 전기전자공학

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 > 반도체/물리전자공학도체 전도성
반도체 기초
반도체 재료
반도체 에너지밴드
반도체 평형상태
반도체 전하 이동
반도체 접합
다이오드
트랜지스터
집적공정
 > 트랜지스터 1. 트랜지스터

트랜지스터 구분
BJT
MOSFET
 > BJT 1. BJT
2. BJT 동작영역
3. BJT 전류
4. 전류 이득

     
1. 쌍극 접합형 트랜지스터 (Bipolar Junction Transistor)

  ㅇ 쌍극(Bipolar)형
     - 전하 반송자로 `전자` 및 `정공` 모두를 이용하는 쌍극(Bipolar)형 트랜지스터
        . 한편, FET 계열은 단극형 전계효과 트랜지스터 임

  ㅇ 3 단자 능동소자
     - 한 포트가 다른 포트의 흐름을 조절 (3 단자 2 포트)
        . 트랜지스터 소자는 주로 전압제어전류원(트랜스컨덕턴스)으로 동작하는 3단자 소자
        . 전압제어전류원부하저항과 함께 사용되어 전압증폭기를 구성할 수 있음
           .. 때론, 컬렉터 전류베이스 전류에 의해 직접 제어(IC = βIB)되므로,
              전류제어전류원으로 동작한다고도 말함


2. BJT 트랜지스터 구조

  ㅇ 2가지 물리적 구성 형태에 따른 종류
          

     - 2개의 pn 접합이 서로 반대로 맞물려 연결된 3개의 반도체 영역으로 구성됨

     

  ㅇ 이미터와 컬렉터가 물리적으로 대칭적이지 않음
     - 즉, 도핑 농도pn 접합 면적이 다르게 제작됨
       

  ㅇ npn 트랜지스터의 경우
     - 이미터(emitter)   : 고농도 도핑  (≒1019[㎝-3]), 폭이 중간 크기
     - 베이스(base)      : 중간농도 도핑(≒1017[㎝-3]), 폭이 가장 좁음
     - 컬렉터(collector) : 저농도 도핑  (≒1015[㎝-3]), 폭이 가장 넓음
     - 즉,
        . 도핑량  : 이미터 > 베이스 > 컬렉터
        . 폭 크기 : 컬렉터 > 이미터 > 베이스
        . 공핍층  : 이미터-베이스 공핍층 => 좁음, 컬렉터-베이스 공핍층 => 넓음


3. BJT `동작 모드` 및 `응용` 구분

  ㅇ 2개 PN 접합에 대한 바이어스 형태에 따른 구분   ☞ BJT 동작영역
     


4. BJT 전류 관계전류 관계                                      ☞ BJT 전류 참조
     

  ※ [참고] 
     - (전류 이득) 직류 알파, 직류 베타 참조
     - (전류 관계) BJT 전류 참조


5. BJT 소신호 증폭기 구성

  ㅇ 입출력 단자 간에 공통 단자가 어느것인가에 따라 구분
     - 공통 이미터(CE), 공통 컬렉터(CC), 공통 베이스(CB)
       
     

6. BJT 등가회로

  ※ ☞ BJT 등가회로 참조


[ 트랜지스터 구분 ]1. BJT  2. FET  3. JFET  4. MOSFET  5. CMOS  6. 박막 트랜지스터  
[ BJT ]1. BJT  2. BJT 동작영역  3. BJT 전류  4. 전류 이득  

 
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