1. 루미네선스 (Luminescence) : 찬 빛, 냉 광 (Cold Light)
ㅇ 열을 동반하지 않는 빛의 방사(발광) 현상을 일컫는 말
- 물질이 빛,전계 등의 에너지를 흡수하여 다시 방사하는 현상
* 한편, 열을 동반한 발광 현상은, ☞ 백열광/뜨거운 빛 (Incandescence) 참조
2. 루미네선스 `형광 현상`의 구분
ㅇ 형광 (Fluorescence, 螢光)
- 물질이 외부에서 에너지(빛,전자빔,전기장 등)을 받자마자 발광하는 현상
- 형광 물질(Fluorescent Material) : 형광을 내는 물질/재료
- 잔광 시간 : 약 10-9 초 이내에서 발광 함
ㅇ 인광 (Phosphorescence, 燐光)
- 물질이 빛을 받은 후 빛을 제거하여도 빛을 내는 현상
- 인광 물질(Phosphor) : 냉광이 가능한 결정 고체
- 잔광 시간 : 약 10-6 초 이상 (형광 보다 천배 이상 김)
. 물질에 따라 다름 (심지어 ~1일까지도 갈 수 있음)
3. 루미네선스 `형광 방식`의 구분
ㅇ 빛의 쏘임에 의해 재발광하는 `광 발광(Photo luminescence, PL)`
- 레이저, PDP 등
ㅇ 음극선 전자방출된 전자빔이 형광면에 가속 충돌되는 `음극선 발광(Cathode luminescence, CL)`
- CRT 등
ㅇ 전계 작용에 의한 `전계 발광(Electro luminescence, EL)`
- 주로, 유기물,무기물 고체 물질의 박막 기술에 기반을 둠
. LED(무기화합물), OLED(유기화합물), EL 소자 등
- 구분
. 진성 전계 발광 : 구 전극 사이에 형광체를 유전체 내에 혼합시킨 발광층 형성
.. 무기 전계 발광 : 무기 물질 형광체 발광
.. 유기 전계 발광 : 유기 물질 형광체 발광
. 전하 주입형 전계 발광 : 반도체 발광 (LED)
.. 반도체 pn 접합 구조에 주입된 소수 캐리어들의 재결합에 의한 발광
ㅇ 방전 현상에 의한 `전기 발광(Electric luminescence)`
- 기체 방전, 네온관, 수은 램프 등
ㅇ 화학반응에 의한 `화학 발광(Chemi luminescence)`
- 황린 산화 발광 등